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강대원(姜大元)

[요약정보]

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생년1931
졸년1992
시대대한민국
본관진주(晉州)
활동분야반도체공학자/물리학자

[상세내용]

강대원(姜大元)
1931년 5월 4일∼1992년 5월 13일. 현대 반도체공학자‧물리학자. 본관은 진주(晉州). 서울 출신이다. 부친은 강정용이고, 부인은 강영희이다.

경기중학교‧경기고등학교를 조기 졸업하고, 서울대에 입학하였다. 서울대학교 재학 시절에 한국전쟁이 일어나자 해병대에 입대하여 통역장교로 활동하였다. 이후 복학하여 1955년에 서울대 물리학과를 졸업하였고, 곧바로 미국 유학길에 올라 1년 만인 1956년 오하이오주립대학교에서 전자공학을 전공하여 석사 학위를 받았고, 1959년에 박사 학위를 받았다.

1959년부터 1988년까지 미국 벨연구소에서 근무하였다, 1960년에 마틴 아탈라(Martin Mohammed John Atalla)와 공동으로 금속‧산화층‧반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)를 최초로 개발하였고, 결정성 실리콘 기판에 설치된 강한 전기장 전자 장치(hot electron device)에서 불순물 주입을 연구하였다. 1964년부터 고주파 쇼트키 다이오드‧강유전성 반도체‧전하와 결합된 발광물질 등을 연구하였다. 1967년에는 ‘부상 갑문형 비휘발성 반도체 기억장치(Floating Gate non-volatile semiconductor memory)’를 최초로 개발하였다.

1988년에 벨연구소에서 은퇴하고 나서, 미국 뉴저지 주에 설립된 NEC연구소의 초대 소장으로 부임하였다. 미국 전기전자공학회(IEEE) 회원과 한국물리학회의 종신회원이었으며, 1975년에는 프랭클린 연구소에서 물리분야 연구자에게 수여하는 스튜어트 밸런타인 메달을 받았다. 1986년에는 오하이오주립대학교 공과대학에서 ‘자랑스러운 졸업생상(Distinguished Alumni Awards)’을 수상하였다. 반도체 연구로 세계적인 명망이 있었고, 그가 발표한 논문 가운데 수십 편은 미국 특허를 얻었다.

2009년에 트랜지스터(MOSFET)를 최초로 개발한 공로로, 미국 특허청의 발명가 명예의 전당(National Inventors Hall of Fame)에 올랐다. 자녀로 5남매를 두었다.

[참고문헌]


[집필자]

김경희
수정일수정내역
2011-10-312011년도 국가DB사업 산출물로서 최초 등록하였습니다.